破局先进制程“钼”时代：上海庆建廷科技实现MoO2Cl2前驱体材料及全套固态输送系统客户端稳定运行

随着全球半导体存储技术加速向300 层以上超高堆叠 3D NAND 以及 D1b、D1c 及更先进的 DRAM 工艺节点演进。